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ON Semiconductor FDFMA3P029Z

Numéro de pièce MFG
FDFMA3P029Z
quantité disponible
38900 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FDFMA3P029Z Caractéristiques

Référence fabricant FDFMA3P029Z
Numéro de pièce future FT-FDFMA3P029Z
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDFMA3P029Z Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 87 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 1.4W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-MicroFET (2x2)
Paquet / caisse 6-VDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA3P029Z Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDFMA3P029Z-FT

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