maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDD9510L-F085
Référence fabricant | FDD9510L-F085 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDD9510L-F085 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDD9510L-F085 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2020pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 75W (Tj) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD9510L-F085 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDD9510L-F085-FT |
SI1011X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1013CX-T1-GE3
Vishay Siliconix
NVJS4151PT1G
ON Semiconductor
NVJS4405NT1G
ON Semiconductor
NTJS3151PT1G
ON Semiconductor
NTJS4405NT1G
ON Semiconductor
NTJS4151PT1G
ON Semiconductor
NTJS3151PT2G
ON Semiconductor
NTJS3157NT1G
ON Semiconductor
NTJS3151PT2
ON Semiconductor
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel