maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDD8870
Référence fabricant | FDD8870 |
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Numéro de pièce future | FT-FDD8870 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDD8870 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 160A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5160pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252AA |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD8870 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDD8870-FT |
ZVP2120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2120ASTOB
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ZVP3306ASTOB
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ZVP3310ASTOB
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ZVP4105ASTOB
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AFS090-2FG256I
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AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
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