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ON Semiconductor FDD86110

Name: FDD86110
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD86110
Price: 0.921 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (113 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDD86110

quantité disponible: 49160 Pièces

Prix de référence: USD 0.921

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDD86110.pdf

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FDD86110 Caractéristiques

Référence fabricant	FDD86110
Numéro de pièce future	FT-FDD86110
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDD86110 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12.5A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.2 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2265pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 127W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D-PAK (TO-252)
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD86110 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDD86110-FT

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