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ON Semiconductor FDD6612A

Name: FDD6612A
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD6612A
Price: 0.312432 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (225 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDD6612A

quantité disponible: 33600 Pièces

Prix de référence: USD 0.312432

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDD6612A.pdf

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FDD6612A Caractéristiques

Référence fabricant	FDD6612A
Numéro de pièce future	FT-FDD6612A
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDD6612A Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.5A (Ta), 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.4nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 36W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D-PAK (TO-252)
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD6612A Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDD6612A-FT

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