maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BS170ZL1G
Référence fabricant | BS170ZL1G |
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Numéro de pièce future | FT-BS170ZL1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BS170ZL1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 350mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS170ZL1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BS170ZL1G-FT |
ZVN0545ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN0545ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN1409ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN1409ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN1409ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN2110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN2120A
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel