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FDD5612 Image

ON Semiconductor FDD5612

Numéro de pièce MFG
FDD5612
quantité disponible
91380 Pièces
Prix de référence
USD 0.337712
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDD5612.pdf
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FDD5612 Caractéristiques

Référence fabricant FDD5612
Numéro de pièce future FT-FDD5612
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDD5612 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252-3
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD5612 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDD5612-FT

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