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ON Semiconductor FDD306P

Name: FDD306P
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD306P
Price: 0.28404 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (580 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDD306P

quantité disponible: 30470 Pièces

Prix de référence: USD 0.28404

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDD306P.pdf

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FDD306P Caractéristiques

Référence fabricant	FDD306P
Numéro de pièce future	FT-FDD306P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDD306P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 6V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	52W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD306P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDD306P-FT

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