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ON Semiconductor FDD24AN06LA0_SB82179

Name: FDD24AN06LA0_SB82179
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD24AN06LA0_SB82179
Availability: InStock
Rating: 4.6 (739 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDD24AN06LA0_SB82179

quantité disponible: 12540 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® INTEGRATED CIRCUIT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDD24AN06LA0_SB82179.pdf

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FDD24AN06LA0_SB82179 Caractéristiques

Référence fabricant	FDD24AN06LA0_SB82179
Numéro de pièce future	FT-FDD24AN06LA0_SB82179
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDD24AN06LA0_SB82179 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.1A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	75W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD24AN06LA0_SB82179 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDD24AN06LA0_SB82179-FT

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