maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2SK3462(TE16L1,NQ)
Référence fabricant | 2SK3462(TE16L1,NQ) |
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Numéro de pièce future | FT-2SK3462(TE16L1,NQ) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2SK3462(TE16L1,NQ) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 267pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PW-MOLD |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK3462(TE16L1,NQ) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2SK3462(TE16L1,NQ)-FT |
IXTY2N65X2
IXYS
IXTY32P05T
IXYS
IXTY48P05T
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IXTY4N65X2
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FDD86569-F085
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FDD120AN15A0-F085
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FDD24AN06LA0-F085
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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