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ON Semiconductor FDD10N20LZTM

Name: FDD10N20LZTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD10N20LZTM
Price: 0.290808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (72 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDD10N20LZTM

quantité disponible: 93290 Pièces

Prix de référence: USD 0.290808

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: UniFET™ MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDD10N20LZTM.pdf

FDD10N20LZTM Caractéristiques

Référence fabricant	FDD10N20LZTM
Numéro de pièce future	FT-FDD10N20LZTM
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	UniFET™
FDD10N20LZTM Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	585pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD10N20LZTM Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDD10N20LZTM-FT

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