maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDC699P_F077
Référence fabricant | FDC699P_F077 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDC699P_F077 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDC699P_F077 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2640pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SuperSOT™-6 FLMP |
Paquet / caisse | 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC699P_F077 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDC699P_F077-FT |
BUK761R5-40EJ
NXP USA Inc.
BUK7J1R0-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y1R4-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y25-60E/GFX
NXP USA Inc.
BUK9213-60EJ
Nexperia USA Inc.
BUK9214-80EJ
Nexperia USA Inc.
BUK9216-100EJ
Nexperia USA Inc.
BUK9222-100EJ
Nexperia USA Inc.
BUK9223-60EJ
Nexperia USA Inc.
BUK9230-80EJ
Nexperia USA Inc.
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation