maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK761R5-40EJ
Référence fabricant | BUK761R5-40EJ |
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Numéro de pièce future | FT-BUK761R5-40EJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
BUK761R5-40EJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.51 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11340pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 349W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK761R5-40EJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK761R5-40EJ-FT |
APTM120SK56T1G
Microsemi Corporation
APTM120SK68T1G
Microsemi Corporation
APTM120U10DAG
Microsemi Corporation
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APTM20DAM10TG
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APTM20SKM10TG
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APTM50DAM35TG
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XC7S100-2FGGA484I
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M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
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5SGXMB6R2F40I2LN
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XC7S50-2CSGA324C
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