maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDBL0065N40
Référence fabricant | FDBL0065N40 |
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Numéro de pièce future | FT-FDBL0065N40 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDBL0065N40 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 300A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.65 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 296nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 429W (Tj) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-HPSOF |
Paquet / caisse | 8-PowerSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDBL0065N40 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDBL0065N40-FT |
FDMS86150
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FDMS86350
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FDMS86550
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5SGXEA7N1F45I2N
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Xilinx Inc.
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EP4SGX70HF35I3N
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