maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FD6M043N08
Référence fabricant | FD6M043N08 |
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Numéro de pièce future | FT-FD6M043N08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Power-SPM™ |
FD6M043N08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 65A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 148nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6180pF @ 25V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | EPM15 |
Package d'appareils du fournisseur | EPM15 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD6M043N08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FD6M043N08-FT |
IRFI4019H-117P
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