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ON Semiconductor FCPF1300N80Z

Numéro de pièce MFG
FCPF1300N80Z
quantité disponible
65080 Pièces
Prix de référence
USD 1.704
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCPF1300N80Z.pdf
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FCPF1300N80Z Caractéristiques

Référence fabricant FCPF1300N80Z
Numéro de pièce future FT-FCPF1300N80Z
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SuperFET® II
FCPF1300N80Z Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 400µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220F
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCPF1300N80Z Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCPF1300N80Z-FT

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