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ON Semiconductor FCPF11N65

Numéro de pièce MFG
FCPF11N65
quantité disponible
11120 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
SuperFET™ MOSFET N-CH 650V 11A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCPF11N65.pdf
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FCPF11N65 Caractéristiques

Référence fabricant FCPF11N65
Numéro de pièce future FT-FCPF11N65
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SuperFET™
FCPF11N65 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 36W (Tc)
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220F
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCPF11N65 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCPF11N65-FT

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