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Référence fabricant | FCH099N60E |
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Numéro de pièce future | FT-FCH099N60E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperFET® II |
FCH099N60E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3465pF @ 380V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 357W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH099N60E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCH099N60E-FT |
GP1M005A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M006A065F
Global Power Technologies Group
GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group
GP1M006A070F
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GP1M006A070FH
Global Power Technologies Group
GP1M007A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M008A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050FG
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GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation