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ON Semiconductor FCD900N60Z

Numéro de pièce MFG
FCD900N60Z
quantité disponible
43700 Pièces
Prix de référence
USD 0.390424
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
SuperFET® II MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCD900N60Z.pdf
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FCD900N60Z Caractéristiques

Référence fabricant FCD900N60Z
Numéro de pièce future FT-FCD900N60Z
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SuperFET® II
FCD900N60Z Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCD900N60Z Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCD900N60Z-FT

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