Référence fabricant | F30 |
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Numéro de pièce future | FT-F30 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
F30 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 3000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 350mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 5V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250nA @ 1500V |
Capacité @ Vr, F | 2.5pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F30 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | F30-FT |
SDT10A100P5-7D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-7D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-13D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7D
Diodes Incorporated
SDT20B100D1-13
Diodes Incorporated
SDT5100D1-13
Diodes Incorporated
SDT5A100P5-13
Diodes Incorporated
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel