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Référence fabricant | SDT5A100P5-13 |
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Numéro de pièce future | FT-SDT5A100P5-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SDT5A100P5-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 660mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerDI™ 5 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT5A100P5-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDT5A100P5-13-FT |
GATELEADWHRD394XXPSA1
Infineon Technologies
GATELEADWHRD762XPSA1
Infineon Technologies
IDD03SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD04SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD05SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD06SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD08SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD09SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDD10SG60CXTMA2
Infineon Technologies
IDW20G65C5XKSA1
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel