maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / F1T6GHR0G
Référence fabricant | F1T6GHR0G |
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Numéro de pièce future | FT-F1T6GHR0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
F1T6GHR0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | TS-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1T6GHR0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | F1T6GHR0G-FT |
EN 01ZV0
Sanken
EN 01ZW
Sanken
EP01C
Sanken
EP01CV
Sanken
EP01CV0
Sanken
EP01CW
Sanken
ES 1
Sanken
ES 1FV
Sanken
ES 1FV0
Sanken
ES 1V
Sanken
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel