Référence fabricant | ES 1 |
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Numéro de pièce future | FT-ES 1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES 1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 700mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.5V @ 800mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES 1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES 1-FT |
D950N22TXPSA1
Infineon Technologies
D970N06TXPSA1
Infineon Technologies
EG 1
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EG01
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EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel