maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / F1857CCD1000
Référence fabricant | F1857CCD1000 |
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Numéro de pièce future | FT-F1857CCD1000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
F1857CCD1000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 55A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 165A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1857CCD1000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | F1857CCD1000-FT |
DD242S08KHPSA1
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DD242S10KHPSA1
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XC3S50A-4FTG256I
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LCMXO3LF-6900C-5BG400I
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LFE5UM-85F-8BG554I
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EP2SGX60CF484I4
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EP4CE10F17C6N
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5SGXMB6R3F40I3LN
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XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
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A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
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