maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DD250S65K3NOSA1
Référence fabricant | DD250S65K3NOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DD250S65K3NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DD250S65K3NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 6500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.5V @ 250A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 370A @ 3600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | A-IHV130-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD250S65K3NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DD250S65K3NOSA1-FT |
CD411499B
Powerex Inc.
CD411630
Powerex Inc.
CD411660
Powerex Inc.
CD411699B
Powerex Inc.
CD411899B
Powerex Inc.
CD510825
Powerex Inc.
CD511225
Powerex Inc.
CD511625
Powerex Inc.
CDBD2020-G
Comchip Technology
CDBD2020-HF
Comchip Technology
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel