maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / F1857CAD1200
Référence fabricant | F1857CAD1200 |
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Numéro de pièce future | FT-F1857CAD1200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
F1857CAD1200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 55A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 165A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1857CAD1200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | F1857CAD1200-FT |
DD241S12KHPSA1
Infineon Technologies
DD241S12KKHPSA1
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DD241S14KAHPSA1
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DD241S14KKHPSA1
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DD242S10KKHPSA1
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DD250S65K3NOSA1
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DD350N08KHPSA1
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XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
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APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel