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Référence fabricant | ESH2D M4G |
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Numéro de pièce future | FT-ESH2D M4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH2D M4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2D M4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH2D M4G-FT |
S2MHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK110BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK12B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK14B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK14BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK16B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
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A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel