maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S3MBHM4G
Référence fabricant | S3MBHM4G |
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Numéro de pièce future | FT-S3MBHM4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S3MBHM4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3MBHM4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S3MBHM4G-FT |
ES2LJ M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LJHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2LJHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3GHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3HB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3HBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel