maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ESH1DHE3/5AT
Référence fabricant | ESH1DHE3/5AT |
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Numéro de pièce future | FT-ESH1DHE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH1DHE3/5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1DHE3/5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH1DHE3/5AT-FT |
US1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel