maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES3GB M4G
Référence fabricant | ES3GB M4G |
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Numéro de pièce future | FT-ES3GB M4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES3GB M4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.13V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 41pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3GB M4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3GB M4G-FT |
S2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2K R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2MHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MBHM4G
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S5MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK110BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S100-1FGGA484C
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M1A3P1000-2FG256
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LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
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10AX115S2F45I2LG
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EPF10K100ABC356-3
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EP1C12F324C6
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