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Référence fabricant | ES2GAHR3G |
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Numéro de pièce future | FT-ES2GAHR3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES2GAHR3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2GAHR3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES2GAHR3G-FT |
S1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel