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Référence fabricant | S1DHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-S1DHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S1DHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1DHM2G-FT |
HS2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2GAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA5U50 E3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation