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Référence fabricant | ES2DAHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES2DAHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES2DAHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DAHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES2DAHM2G-FT |
ESH2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MHR3G
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S1AHR3G
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S1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BHM2G
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S1BHR3G
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S1DHM2G
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LCMXO2-1200ZE-3TG100C
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XC3S1200E-4FG320C
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XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
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5SGXMA3K2F40I3N
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5SEEBF45I3N
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5SGXEA5K3F35I3N
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XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation