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Référence fabricant | ES2DAHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES2DAHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES2DAHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DAHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES2DAHM2G-FT |
ESH2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
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A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
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