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Référence fabricant | ES1LD R3G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1LD R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1LD R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1LD R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1LD R3G-FT |
RS2JAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2KA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2KA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2JAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel