maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RS2JAHR3G
Référence fabricant | RS2JAHR3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RS2JAHR3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS2JAHR3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2JAHR3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS2JAHR3G-FT |
SS29L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel