maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1JF R2G
Référence fabricant | ES1JF R2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1JF R2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1JF R2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | SMAF |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JF R2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1JF R2G-FT |
VSSAF3M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.