Référence fabricant | ES1GRX |
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Numéro de pièce future | FT-ES1GRX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1GRX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400nA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123W |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123W |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1GRX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1GRX-FT |
BAT85,133
Nexperia USA Inc.
BAT86,113
Nexperia USA Inc.
BAT86,133
Nexperia USA Inc.
BAS40/ZLVL
NXP USA Inc.
PMEG3010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG4010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3010AESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG3010ESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3010ESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010AESBZ
Nexperia USA Inc.
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel