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Référence fabricant | PMEG3010AESBYL |
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Numéro de pièce future | FT-PMEG3010AESBYL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMEG3010AESBYL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 480mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3.5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 255µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 86pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | DSN1006-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG3010AESBYL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMEG3010AESBYL-FT |
GURF5H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1035-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1035HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1050-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1050HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel