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Référence fabricant | ES1GL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1GL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1GL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1GL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1GL M2G-FT |
SS25LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
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XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
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EP2AGX95EF29I3
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EP20K400BC652-2X
Intel