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Référence fabricant | SS26L M2G |
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Numéro de pièce future | FT-SS26L M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS26L M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS26L M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS26L M2G-FT |
SS19LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation