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Référence fabricant | ES1GHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1GHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1GHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1GHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1GHM2G-FT |
BYG20J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1C R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel