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Référence fabricant | ES1GHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1GHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1GHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1GHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1GHM2G-FT |
BYG20J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M R3G
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ES1C R3G
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ES1D M2G
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ES1DHR3G
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ES1G M2G
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ES1JHR3G
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EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
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