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Référence fabricant | BYG23M M2G |
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Numéro de pièce future | FT-BYG23M M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG23M M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 65ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG23M M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG23M M2G-FT |
S2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1D R3G
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RS1G R3G
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RS2AA R3G
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ES1D R3G
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ES1G R3G
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A1020B-2VQ80C
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LFE3-17EA-6FTN256C
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LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
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EP4SGX290KF40I4N
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XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
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EP3CLS200F780C8
Intel