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Référence fabricant | ES1FL R3G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1FL R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1FL R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1FL R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1FL R3G-FT |
TSSE3U60HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel