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Référence fabricant | S1DLS RQG |
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Numéro de pièce future | FT-S1DLS RQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1DLS RQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1.2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123H |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123HE |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DLS RQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1DLS RQG-FT |
SS310LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS320LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES15DLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ESDLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1JLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel