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Référence fabricant | ES1DV R3G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1DV R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1DV R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DV R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1DV R3G-FT |
S1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA R3G
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S2KA R3G
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SK320A R3G
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UG2JAHR3G
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US1D R3G
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US1K R3G
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ES1HM2G
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ES1HR3G
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AX250-FG256I
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MPF300TLS-FCVG484I
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5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
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5SGSED8N1F45C2L
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5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation