maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1D-M3/61T
Référence fabricant | ES1D-M3/61T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ES1D-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1D-M3/61T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1D-M3/61T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1D-M3/61T-FT |
BYG20J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel