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Référence fabricant | ES1BHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1BHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1BHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1BHM2G-FT |
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LGHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJ M2G
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ES1LJ R3G
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XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
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LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.