maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1BE-TP
Référence fabricant | ES1BE-TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ES1BE-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1BE-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BE-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1BE-TP-FT |
BAS316-TP
Micro Commercial Co
1N4448WX-TP
Micro Commercial Co
SD107WS-TP
Micro Commercial Co
B5817WS-TP
Micro Commercial Co
SD103AWS-TP
Micro Commercial Co
BAT42WS-TP
Micro Commercial Co
BAS16WX-TP
Micro Commercial Co
BAV19WS-TP
Micro Commercial Co
B5818WS-TP
Micro Commercial Co
BSR106WS-TP
Micro Commercial Co
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel