maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / B5817WS-TP
Référence fabricant | B5817WS-TP |
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Numéro de pièce future | FT-B5817WS-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
B5817WS-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 450mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B5817WS-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | B5817WS-TP-FT |
EGF1D-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1T-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1T-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1THE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1THE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1A/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B/17A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1BHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation