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Référence fabricant | ES1AE-TP |
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Numéro de pièce future | FT-ES1AE-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1AE-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMAE) |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1AE-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1AE-TP-FT |
B5819WS-TP
Micro Commercial Co
BAS316-TP
Micro Commercial Co
1N4448WX-TP
Micro Commercial Co
SD107WS-TP
Micro Commercial Co
B5817WS-TP
Micro Commercial Co
SD103AWS-TP
Micro Commercial Co
BAT42WS-TP
Micro Commercial Co
BAS16WX-TP
Micro Commercial Co
BAV19WS-TP
Micro Commercial Co
B5818WS-TP
Micro Commercial Co
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel